由于MOSFETå…·æœ‰å¾ˆä½Žçš„å¯¼é€šç”µé˜»ï¼Œå› è€Œåœ¨DC-DC转æ¢å™¨ä¸æœ‰ç€å¹¿æ³›çš„应用,但是,过低的驱动电压会使MOSFETä¸èƒ½å¤Ÿå·¥ä½œäºŽâ€œå®Œå…¨å¯¼é€šâ€çŠ¶æ€ï¼Œä»Žè€Œå¤§å¤§é™ä½Žäº†è¯¥è½¬æ¢å™¨çš„效率。这也就是说,对于低电压é™åŽ‹çš„应用(例如把+1.8Vé™åŽ‹ä¸º+1.5V),直接驱动MOSFET是得ä¸åˆ°é«˜è½¬æ¢æ•ˆçŽ‡çš„。
  图ä¸æ‰€ç¤ºç”µè·¯å¯ä»¥æŠŠ+1.8V至+3V的输入电压以大于90%的效率é™åŽ‹è‡³1.5V,最大输出电æµå¯è¾¾600mA。IC1ç‰æž„æˆå¼€å…³åž‹DC-DCå‡åŽ‹ç”µè·¯ï¼ŒIC2ç‰æž„æˆå¼€å…³åž‹DC-DCé™åŽ‹ç”µè·¯ï¼Œå‡åŽ‹ç”µè·¯å¯æŠŠ+1.8V至+3V的输入电压以84%的效率å‡åŽ‹è‡³+3.3V,该电压用于IC2驱动V1的工作电压,从而é¿å…了低电压时MOSFET驱动电压过低的å‘生。é™åŽ‹ç”µè·¯å¯æŠŠ+1.8V至+3V的输入电压以92%的效率é™åŽ‹è‡³+1.5V,值得一æ的是IC2被+3.3Vå置,但+1.5V输出电压则直接æ¥è‡ªç”µæ± 。调整电阻R3å’ŒR4的比值就å¯ä»¥æ”¹å˜è¾“出电压。
为了防æ¢ç”µæºæŽ¥é€šçž¬é—´ï¼ŒIC1还未建立+3.3V输出电压时输入和输出直通,图ä¸åŠ 了R1ã€R2ç‰æž„æˆçš„电压检测控制电路。在IC1内部包å«ä¸€åªæ¯”较器,该比较器通常是应用于输入电压指示的,在æ¤ç”¨äºŽæ£€æµ‹IC1çš„å‡åŽ‹è¾“出。当IC1还未输出+3.3V时,IC1的③脚输出高电平关é—IC2;输出+3.3Væ£å¸¸æ—¶åˆ™å¼€å¯IC2。
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